SI4116DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI4116DY-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 25V 18A 8SO |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.25 |
10+ | $1.115 |
100+ | $0.8694 |
500+ | $0.7182 |
1000+ | $0.567 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1925 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI4116 |
SI4116DY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI4116DY-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY SOP-8
IC FREQ SYNTH 28QFN
IC FREQ SYNTH 28QFN
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
SILICON LABS QFN-28
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT
IC FREQ SYNTH 24TSSOP
VISHAY SOP-8
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
IC FREQ SYNTH 28QFN
IC FREQ SYNTH 24TSSOP
BOARD EVAL SI4114G-BM
Silicon QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI4116DY-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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